Memória Kingston 4Gb Ddr4 2666Mhz Cl19 - Kvr26N19S6/4

Memória Kingston 4gb Ddr4 2666mhz Cl19 - Kvr26n19s6/4

MARCA: KINGSTONMODELO: KVR26N19S6/4ESPECIFICAÇÕES: Capacidade: 4GB Frequência de operação: DDR4 2666Mhz 288-Pin DIMM CL (IDD): 19 ciclos Row Cycle Time (tRCmin): 45,75ns (min.) Refresh to Active / Refresh Command Time (tRFCmin) 350ns (min.) Row Active Time (tRASmin) – 32ns (min.) Potência Máxima de Operação – TBD W* Classificação UL 94 V - 0 Temperatura de operação – 0oC a +85oC Temperatura de armazenamento - -55oC a + 100oC *A potência pode variar dependendo do uso do SDRAM CARACTERÍSTICAS / BENEFÍCIOS: Tensão de operação: VDD = 1,2V Típico VDDQ = 1,2V Típico VPP = 2.5V Típico VDDSPD = 2,2V a 3,6V Terminação nominal e dinâmica no DIE (ODT) para sinais de dados, luz e máscara Auto-atualização de baixa potência (LPASR) Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados Geração e calibração VREFDQ no DIE Single Rank EEPROM de detecção de presença serial (SPD) on-board I2 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada Burst chop fixo (BC) de 4 e comprimento de Burst (BL) de 8 através do conjunto registradores de modo (MRS) BC4 ou BL8 selecionáveis em tempo real (OTF) Topologia fly-by Comando de controle e barramento de endereços com terminação PCB: Altura 1,18” (30,00 mm) Em conformidade com RoHS e sem halogênios